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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
73
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
27
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
10.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
2288
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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