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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
30
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
3188
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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