RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
15.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2144
3519
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link