RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
38
Por volta de -111% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2144
3668
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link