RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Comparar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
77
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
77
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
5.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2144
1440
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link