RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2144
2481
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link