RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Comparar
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Pontuação geral
INTENSO 5641160 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
INTENSO 5641160 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
2613
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
INTENSO 5641160 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link