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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2650
2227
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
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