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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2277
2179
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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