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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparar
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2277
2782
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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