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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparar
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2277
2825
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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