RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
42
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
18
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1632
3529
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link