RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Comparar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
45
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
45
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1632
2943
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link