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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.1
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.9
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2279
2336
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparações de RAM
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Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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