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Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparar
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
52
Por volta de 44% menor latência
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
52
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.1
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2295
2472
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB Comparações de RAM
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
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Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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