RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
4122
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link