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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
3004
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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