RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2831
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link