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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
56
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
6.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
56
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.4
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1927
2455
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparações de RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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