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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Pontuação geral
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
70
71
Por volta de 1% menor latência
Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
6.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
4.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
70
71
Velocidade de leitura, GB/s
6.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
4.6
6.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1264
1650
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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