RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Comparar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
69
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
3.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
35
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
3.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1129
3306
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link