RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Comparar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
69
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
3.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
29
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
3.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1129
3285
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link