RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
16.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2238
3866
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link