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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1936
3035
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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