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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2388
3356
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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