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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2388
2126
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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