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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparar
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2320
2346
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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