RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Comparar
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1537
3559
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link