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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
45
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.2
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1537
2124
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
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