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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
80
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
5.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
3.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
80
48
Velocidade de leitura, GB/s
5.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
3.4
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
968
2196
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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