RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
75
Por volta de -178% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
3495
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link