RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
75
Por volta de -257% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
3033
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Relatar um erro
×
Bug description
Source link