RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
75
Por volta de -159% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
3096
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link