RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
75
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
2945
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link