RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
19.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
75
Por volta de -213% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
19.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
4394
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link