RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
75
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,036.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
2200
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link