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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
75
Por volta de -168% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,036.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
2347
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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