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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparar
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2324
2124
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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