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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Pontuação geral
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
41
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2039
3313
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Inmos + 256MB
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