RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
54
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
54
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2039
2938
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link