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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
41
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2039
2584
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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