RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2123
2382
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Comparações de RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link