RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Comparar
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
16
40
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
16
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
22.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
18.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2201
3906
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link