RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparar
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
40
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2201
2616
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link