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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1995
3169
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
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