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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10
9.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.7
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1435
1767
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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