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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2032
2062
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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