RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Comparar
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2102
3418
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link