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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
37
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2102
3285
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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