RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparar
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
37
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2102
2633
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link